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二、三极管新闻
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中国功率半导体的发展现状分析

      应该说,在中国半导体产业发展过程中,半导体分立器件的作用长期以来都没有引起人们足够的重视,政府的投入也很少,发展速度远远滞后于集成电路。国内分立器件厂商的主要产品以硅基二极管、三极管和晶闸管为主,目前国际功率半导体器件的主流主品功率MOS器件只是近年来才有所涉及,且主要为平面栅结构的VDMOS器件,IGBT还处于研发阶段。宽禁带半导体器件主要是以微波功率器件(SiC MESFET和GaN HEMT)为主,尚未有针对市场应用的宽禁带半导体产品器件的产品研发。

从功率半导体的产品分类来说

一、普通二极管、三极管国内的自给率已经很高,但是在高档的功率二极管,大部分还依赖进口,国内的产品性能还有不小的差距。

二、晶闸管类器件产业成熟,种类齐全,普通晶闸管、快速晶闸管、超大功率晶闸管、光控晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、高频晶闸管都能生产。中国南车集团现在可以生产6英寸、4000A、 8500V超大功率晶闸管,居世界领先水平,已经在我国的机车上大量使用,为我国的铁路现代化建设做出了贡献。

三、在功率管领域,逐步有国内的企业技术水平上升到MOS工艺,MOSFET的产业有一定规模,进入21世纪后,这类器件的产品已批量进入市场,几十安培、200V的器件在民用产品上获得了广泛应用,进口替代已然开始。

四、IGBT、FRD已经有所突破,FRD初见规模。IGBT从封装起步向芯片设计制造发展,从PT结构向NPT发展,沟槽工艺正在开发中。IGBT产品进入中试阶段,

五、在电源管理领域,2008年前十名都见不到国内的企业。

从功率半导体产业链来说

一、设计:国内IGBT还处于研制阶段,还没有商品化的IGBT投入市场,我国IGBT芯片的产业化道路比较漫长。目前国内的民营和海归人士设立的公司已经研发出了低端的IGBT产品,如常州宏微、嘉兴斯达。南车集团就不说了。

二、制造:IGBT对于技术要求较高,国内企业还没有从事IGBT生产。考虑到IP保护以及技术因素的限制,外资IDM厂商也没有在国内进行IGBT晶圆制造和封装的代工。目前华虹NEC和成芯的8吋线、华润上华和深圳方正的6吋线均可提供功率器件的代工服务。

三、封装:我国只有少数企业从事中小功率IGBT的封装,而且尚未形成规模化生产,在IGBT芯片的产业化以及大功率IGBT封装领域的技术更是一片空白。

从功率半导体工艺发展来说

一、BCD工艺已从无到有,从低压向高压发展,从硅基向SOI基发展。

二、从封装起步向芯片设计制造发展,从PT结构向NPT发展,沟槽工艺正在开发中。

信息来自:钽电容  陶瓷电容  二、三极管  晶体振荡器

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