钽电容 授权一级代理商
服务热线:0755-8953 4567 / 8281 1002
钽电容新闻
当前位置:首页 > 新闻中心 > AVX钽电容的耗散因素和损耗角

AVX钽电容的耗散因素和损耗角正切

      AVX钽电容的耗散因素(D.F.)
      耗散因数测量的切线损耗角(TAN),以百分比表示。测量DF是开展测理桥梁供应一个0.5V RMS120Hz正弦信吃,免费谐波与偏见2.2Vdc。DF值是温度和频率依赖 。注意:对于表面贴装产品所允许的最大DF值表示的收视率表是很重要的。这些限额会见了由组件后基板上焊接。
 
      AVX钽电容的损耗角正切(TAN)
      这是一个在电容器的级量损耗的测量。它表示为棕褐色,是电容器的功率损耗其无功功率分为一组指定的正统统电压频率。也用的术语是功率因素,损耗因子和介电损耗。COS(90-)是真正的功率因数。使用测量进行测量谭桥梁,提供一个0.5V RMS120Hz的正弦信号,免费谐波的2.2Vdc的偏见。
 
      耗散因数的频率依赖性
      随着频率的增加损耗因素所示钽和OxiCap®电容器的典型曲线相同的;
 
      耗散与温度的关系
      耗散系数随温度变化的典型曲线表演。这些地块是钽和OxiCap®相同电容器。对于最高限额,请参阅评分表
联系方式:0755-89534567 传真:86-755-89334567 邮箱:salse@zs-smd.com 地址:深圳市福田区华强北路华强广场A座13I
版权所有:Copyright(c)2000-2014 宗盛源实业 All Right Reserved ICP许可证号:粤ICP备12023561号-1